سامسونگ نخستین حافظه‌ رم ۱۰ نانومتری و نسل سومی DDR4 را توسعه می‌دهد

سامسونگ، بزرگ‌ترین تولیدکننده‌ی تراشه‌ی حافظه‌ در دنیا، نخستین ماژول حافظه‌ی رم پویا (DRAM) نسل سومی DDR4 با لیتوگرافی ۱۰ نانومتری (1z-nm) و ۸ گیگابیتی را توسعه داده است. خبر دستیابی به چنین موفقیتی یک هفته پس از آغاز تولید انبوه نخستین ماژول حافظه‌ی رم ۱۲ گیگابایتی LPDDR4X به‌دست کره‌ای‌ها منتشر می‌شود.

سامسونگ در نظر دارد تا تولید انبوه ماژول‌های ۸ گیگابیتی DDR4 را از نیمه‌ی دوم سال ۲۰۱۹ آغاز کند. کره‌ای‌ها با این ماژول نسل آتی سرورهای سازمانی و کامپیوترهای بالارده را هدف گرفته‌اند. ماژول‌های ۱۰ نانومتری جدید، کوچک‌ترین فرایند تولید را در بین تمام حافظه‌ها را دارند، نسبت به نسخه‌ی پیشین موسوم به 1y-nm بالغ بر ۲۰ درصد بهره‌وری تولید را ارائه می‌دهند و مرز راهکارهای DRAM با عملکرد و بهره‌وری انرژی بالا را به جلوتر می‌رانند.

ناگفته نماند که در تولید حافظه‌های DRAM نسل سومی از فرایند تولید EUV استفاده نمی‌شود و بدین ترتیب مقیاس‌پذیری حافظه‌های DRAM بیش‌ازپیش افزایش پیدا می‌کند. براساس پیش‌بینی‌ها سامسونگ، حافظه‌‌ی نسل سومی DDR4 راه را برای نسل آتی رابط‌های DRAM، نظیر DDR5 ،LPDDR5 و GDDR6 نیز هموار خواهد کرد. کره‌ای‌ها ماژول‌های جدید را تنها پس از گذشت ۱۶ ماه از آغاز تولید انبوه حافظه‌های ۱۰ نانومتری نسل دومی DDR4 توسعه داده‌اند.

جونگ‌-به لی، قائم‌مقام اجرایی واحد تولید DRAM در سامسونگ می‌گوید:

تعهد ما برای پشت‌سر گذاشتن بزرگ‌ترین موانع دنیای فناوری، ما را به‌سمت نوآوری‌های بزرگ‌تر سوق داده است. مفتخر هستیم که بار دیگر زمینه را برای تولید پایدار نسل آتی حافظه‌های رم پویا را فراهم کرده‌ایم؛ حافظه‌هایی که عملکرد و بهره‌وری انرژی بهتر را نوید می‌دهند.

سامسونگ به‌خوبی در حال پاسخ‌دادن به تقاضای فزاینده‌ی بازار برای حافظه‌های پویای DDR4 است. این شرکت «فعالانه با مشتریان جهانی برای ارائه‌ی مجموعه‌ای را راهکارهای آتی حافظه همکاری خواهد کرد». کره‌ای‌ها هم‌اکنون تأیید کرده‌اند که واحد تولید حافظه‌ی دوم خود را در پیونگتائک کره‌جنوبی تأسیس خواهند کرد.