پس از اینتل و TSMC، حالا نوبت سامسونگ است تا تجهیزات پیشرفته ASML را برای تولید نسل بعدی تراشهها دریافت کند
سامسونگ در راستای تقویت صنعت تراشهسازی خود قصد دارد در فصل آینده اولین دستگاه لیتوگرافی EUV را نصب کند. غول فناوری کرهای در این زمینه از اینتل و TSMC عقبتر است.
اینتل تاکنون موفق به خرید ۶ دستگاه EUV از شرکت هلندی ASML شده است و بهنظر میرسد که از بین سه شرکت بزرگ نیمههادی TSMC، اینتل و سامسونگ، غول کرهای آخرین شرکتی باشد که تجهیزات لیتوگرافی نسل بعدی EUV را خریداری میکند. براساس گزارشی از Sedaily، سامسونگ انتظار دارد این تجهیزات را تا ابتدای سال ۲۰۲۵ دریافت کند و در کنار رقبای خود قرار بگیرد.
گفته میشود سامسونگ اسکنر Twinscan EXE:5000 با NA (وضوح چاپ) بالا (۰٫۵۵) را به ASML سفارش داده است که دقت هشت نانومتر و طول موج فرابنفش ۱۳٫۵ نانومتر دارد. این دستگاه به تراشهساز امکان میدهد که تراشههایی با ابعاد ۱٫۷ بار کوچکتر با چگالی ترانزیستور تا ۲٫۹ بار بیشتری را از اسکنر EUV نسل فعلی تولید کنند. قیمت هر دستگاه EUV با NA بالا به ۵۰۰ میلیارد وون (حدود ۳۷۰ میلیون دلار) میرسد.
ASML اعلام کرده است که Twinscan EXE:5000 بیشترین بهرهوری در صنعت را دارد. با مجهزشدن غول فناوری کرهای به این دستگاه جدید، میتوان انتظار داشت که جهش قابل توجهی در تولیدات آیندهی شرکت مورد بحث رخ دهد.
سامسونگ احتمالاً اولین سری از تجهیزات High-NA را در مرکز تحقیق و توسعهی Hwaseong Campus خود راهاندازی خواهد کرد. هنوز زمان رونمایی از قطعات تجاری تولیدشده با این ابزار لیتوگرافی پیشرفته مشخص نیست، زیرا راهاندازی چنین تجهیزاتی پیچیدگیهای خاص خودش را دارد. انتظار میرود که دستگاه جدید تا پایان سال ۲۰۲۵ به بهرهبرداری برسد؛ به شرطی که سامسونگ با مانعی مواجه نشود.
با دسترسی اینتل، TSMC و سامسونگ به فناوری High-NA، کاملاً مشخص است که بازارهای نیمههادی از این پس رشد مضاعفی خواهند کرد. تا جایی که اطلاع داریم، اینتل میخواهد از این دستگاه برای نود 14A (۱٫۴ نانومتر) خود استفاده کند، در حالی که TSMC ممکن است از آن در کلاس دو نانومتری بهره ببرد.
اینکه سامسونگ دستگاه EUV جدید را چگونه بهکار میگیرد هنوز مشخص نیست، اما انتظار میرود که غول کرهای با پیروی از استانداردهای صنعتی، از فرایند High-NA برای نود دو نانومتری نسل اول استفاده کند.
نظرات