توشیبا نسل چهارم حافظه‌ BGA SSD را با تراشه ۹۶ لایه‌ای NAND معرفی کرد

توشیبا چهارمین نسل از حافظه‌های NVMe SSD را با فُرم‌فکتور BGA، شامل کنترلر SSD و حافظه‌ی فلش ناند (NAND) برای شرکت‌های تولیدکننده معرفی کرد. حافظه‌ی BG4 توشیبا ارتقاء قابل توجهی نسبت به BG3 محسوب می‌شود؛ چرا که در آن تراشه‌ی سه‌بعدی حافظه‌ی TLC جدید با ۹۶ لایه جای حافظه‌ی ناند ۶۴ لایه‌ای را گرفته است تا بدین ترتیب تولید حافظه‌هایی با ظرفیت بالا و مصرف انرژی پایین امکان پذیر باشد. از تغییرات دیگر حافظه‌ی جدید ژاپنی‌ها می‌توان به حذف کنترلر دو کاناله‌ی PCIe 3 به‌کاررفته در حافظه‌های BG2 و BG3 و جایگزینی آن با کنترلر چهارکاناله‌ی PCIe 3 اشاره کرد؛ تغییری که می‌تواند راه را برای بهبود قابل توجه عملکرد خواندن و نوشتن ترتیبی هموار کند. 

BG4‌ کماکان حافظه‌ی SSD فاقد DRAM به‌حساب می‌آید و برای کاهش شدت افت عملکرد ناشی از خلاء DRAM از بافر حافظه‌ی میزبان (HMB) NVMe استفاده می‌کند. توشیبا در نسل چهارم حافظه‌‌های SSD خود، با افزودن مرحله‌ی بررسی توازن داده‌های ذخیره‌شده DRAM میزبان، نوع استفاده‌ از HMB را بهبود بخشیده است؛ بدین ترتیب حتی در صورت بی‌بهره‌بودن سیستم میزبان از حافظه‌ی ECC، یک لایه‌ی حفاظتی اضافه برای داده‌ها ایجاد خواهد شد. افزون‌بر تغییرات یادشده، فرم‌ور BG4 نیز تفاوت‌هایی را در خود می‌بیند که با هدف گسترش محدوده‌ی نگاشت داده‌های قابل‌ کش‌شدن در بافر حافظه‌ی میزبان برای بهبود عملکرد در کاربردهایی همچون کپی فایل‌های حجیم ایجاد شده‌اند. 

تغییرات یادشده بدین مفهوم هستند که اکنون حافظه‌ی BG4‌ برای شتاب‌بخشیدن به عملیات خود، حجم بیش‌تری از حافظه‌ی میزبان را طلب خواهد کرد؛ اما باید توجه داشته باشید که حجم HMB مورد نیاز کماکان کمتر از ۱۰۰ مگابایت خواهد بود. تغییرات فرم‌وری دیگر به بهبود عملکرد خواندن و نوشتن تصادفی و کاهش تأثیر مدیریت پس‌زمینه‌ی فلش بر عملکرد تعاملی بازمی‌گردد. آمار ابتدایی ارائه‌شده از سوی توشیبا حکایت از آن دارد سرعت نوشتن تصادفی تقریبا دو برابر شده است و خواندن تصادفی نیز بیش از دو برابر سریع‌تر از BG3‌ انجام می‌شود.

استفاده از کنترلر عریض‌تر PCIe (چهار کاناله نسبت به دو کاناله در نسل گذشته) در حافظه‌ی BG4 منجر به بزرگ‌تر شدن ابعاد قالب BGA نسبت به BG3‌ نشده است؛ اما نسخه‌ای که روی کارت قابل تعویض M.2 2230 اضافه‌ شده، اکنون از کلید نوع M به ‌جای نوع B+M‌ به‌کاررفته در حافظه‌های M.2 SATA‌ و PCIe x2 استفاده می‌کند. استفاده از تراشه‌ی TLC سه‌بعدی ۹۶ لایه‌ای با ظرفیت‌به‌ازاء‌بلوک بالاتر باعث شده تا برخی از حافظه‌ها باریک‌تر از گذشته باشند؛ به‌عنوان مثال اکنون مدل ۵۱۲ گیگابایتی به‌جای ۱.۵ میلی‌متر، ضخامتی معادل ۱.۳ میلی‌متر دارد، ضمن اینکه برای نخستین بار در سری BG شاهد مدل یک ترابایتی خواهیم بود. توشیبا نخستین شرکتی بود که سال گذشته حافظه‌ی SSD با تراشه‌ی ۹۶ لایه‌ای NAND را تحت نام XG6 روانه‌ی بازار کرد و اکنون به‌نظر می‌رسد که BG4‌ دومین حافظه با تراشه‌ی ۹۶ لایه‌ای خواهد بود.

سری BG‌ توشیبا همواره مدلی پایین‌رده در بین حافظه‌های NVMe SSD بازار شرکت‌های تولیدکننده بوده است؛ بنابراین عموما مصرف‌کنندگان عادی از وجود آن غافل بوده‌اند. حتی نسخه‌ی تجاری BG3 با نام RC100 نیز به‌دلایلی همچون بالاتر بودن قیمت نسبت به نمونه‌های SATA، عرضه‌ی محدود و رقابت سنگین با شرکت‌های تولیدکننده‌ی حافظه‌‌های NVMe SSD بالارده‌ی ارزان‌قیمت که شکل‌گیری بازاری برای حافظه‌های NVMe پایین‌رده را دشوار می‌کرد، نظر کاربران را به‌خود جلب نکرد. با این حال، سری BG به‌تدریج در حال محبوب‌شدن نزد شرکت‌های تولیدکننده به‌عنوان جایگزینی برای حافظه‌های کوچک و کند eMMC در دستگاه‌های موبایل است. اخیرا حافظه‌های BG3 در کامپیوترهای دسکتاپ نیز به‌عنوان راهکاری ارزان‌قیمت برای تبلیغ حافظه‌ی NVMe به‌کار گرفته می‌شود. حال به‌نظر می‌رسد که BG4 به‌‌لطف عملکرد بهتر، ظرفیت‌های بالاتر و قیمتی هم‌سطح با حافظه‌های SATA SSD، بیش از گذشته نزد شرکت‌های تولیدکننده به‌ محبوبیت دست پیدا کند.

در حال حاضر حافظه‌های BG4 توشیبا برای بررسی به‌تعداد محدودی از شرکت‌های تولیدکننده ارسال شده است. پیش‌بینی می‌شود که این شرکت ژاپنی در سه‌ماهه‌ی نخست سال ۲۰۱۹ نمونه‌های تولیدی را برای بررسی آماده کند و عرضه‌ی انبوه آن را نیز از سه‌ماهه‌ی دوم سال کلید بزند. خاطرنشان می‌کنیم که هم‌اکنون نسخه‌ای تجاری از حافظه‌ی BG4 معرفی نشده است؛ اما به‌نظر می‌رسد که این حافظه نسبت به حافظه‌ی RC100 مبتنی بر BG3، عملکرد بهتری در بازار مصرف‌کنندگان عادی داشته باشد، از این رو مایه‌ی تعجب نخواهد بود که تا پایان سال، شاهد عرضه‌ی RC200 باشیم.