مایکرون حافظه‌های ۱۶ گیگابایتی DDR4 و LPDDR4X را با فرایند ۱۰ نانومتر می‌سازد

چند روز پیش مایکرون اعلام کرد تولید انبوه تراشه‌های حافظه‌ی خود با لیتوگرافی ۱۰ نانومتری نسل سوم (1Z نانومتر) را آغاز کرده است. اولین رم‌هایی که قرار است با فرایند 1Z نانومتر مایکرون تولید شوند، ۱۶ گیگابایتی و از نوع DDR4 و LPDDR4X خواهند بود و این شرکت قرار است رفته‌رفته تنوع محصولات خود را در این بخش افزایش دهد.

نسل سوم فرایند تولید ۱۰ نانومتری مایکرون موسوم به 1Z نانومتر برای DRAMها این امکان را به شرکت می‌دهد تراکم بیت را افزایش دهد و هم‌زمان عملکرد بیشتر و مصرف باتری کمتر را در مقایسه با نسل دوم لیتوگرافی ۱۰ نانومتر خود (1Y نانومتر) رقم بزند. به‌طور خاص، این شرکت آمریکایی مدعی است که رم‌های ۱۶ گیگابایتی DDR4 آن ۴۰درصد انرژی کمتری از دو رم ۸ گیگابایتی DDR4 مصرف می‌کنند (با فرض داشتن سرعت اجرای برابر). افزون‌براین، رم‌های LPDDR4X مایکرون نیز ۱۰درصد انرژی کمتری مصرف می‌کنند. به‌لطف تراکم بیت بیشتر در فناوری 1Z نانومتر، هزینه‌ی تولید رم‌های با ظرفیت بالا مانند رم ۱۶ گیگابایتی مذکور برای مایکرون کاهش می‌یابد و از این لحاظ نیز این نوع رم‌ها به‌صرفه‌تر هستند.

در بخش موبایل، تراشه‌های ۱۶ گیگابایتی LPDDR4X مایکرون سرعتی معادل ۴,۲۶۶ مگاترنسفربرثانیه خواهند داشت. به‌علاوه، مایکرون ضمن ارائه‌ی رم‌های LPDDR4X با حداکثر ظرفیت ۱۶ گیگابایت برای گوشی‌های هوشمند، تراشه‌های چندگانه‌ی مبتنی بر UFS موسوم به uMCP4 را به‌منظور ترکیب حافظه‌ی NAND و DRAM عرضه خواهد کرد. محصولات سری uMCP4 این شرکت با هدف استفاده در دستگاه‌های میان‌رده، ترکیب‌هایی از ۶۴ گیگابایت + ۳ گیگابایت تا ۲۵۶ گیگابایت + ۸ گیگابایت (NAND+DRAM) را شامل می‌شوند.

مایکرون مکان تولید تراشه‌های ۱۶ گیگابایتی DDR4 و LPDDR4X با فناوری 1Z نانومتر را اعلام نکرده است؛ اما معمولا این شرکت آمریکایی تولید جدیدترین تراشه‌های خود را در خط‌تولید هیروشیمای ژاپن آغاز می‌کند. باوجوداین، گمانه‌زنی‌های تحلیل‌گران از احتمال راه‌اندازی خطوط تولید 1Z در خط‌تولید مایکرون‌مموری در تایوان در نزدیکی شهر تایچونگ حکایت می‌کند.