حافظه ی جدید اینتل ۱۰۰۰ برابر سریع تر از حافظه های مورد استفاده در فلش مموری های کنونی است
دو کمپانی اینتل و میکرون موفق شدهاند تا معماری جدیدی را برای تولید حافظههای غیر فرار توسعه دهند که از جملهی قابلیتهای آن میتوان به حجم کوچکتر، سرعت بیشتر و استحکام بالاتر اشاره کرد. این نوع حافظه که 3D Xpoint نام دارد هم اکنون در دست تولید است. براساس اطلاعات ارائه شده سرعت انتقال دادهها در این نوع حافظه ۱۰۰۰ برابر بیشتر از حافظههای مبتنی بر معماری NAND است که این روزها در فلش مموری ها و انواع حافظه SSD مورد استفاده قرار میگیرد. در معماری جدید، حافظه بدون استفاده از ترانزیستورها کار میکند. سلولهای حافظه در 3D Xpoint بصورت لایهای با الگوی سه بعدی رو هم قرار میگیرند که همین موضوع باعث افزایش تراکم این نوع حافظهها به میزان ۱۰ برابر حافظههای معمول میشود.
راب کروک، قائم مقام اینتل در این خصوص چنین اظهار نظر کرده است:
برای سالیان متمادی محققان در پی کاهش زمان تاخیر موجود بین پردازندهها و دادهها بودند تا از این طریق سرعت پردازش بسیار افزایش یابد. نسل جدید حافظههای غیرفرار میتوانند محققان را در این جهت به هدف خود برسانند.
هنوز مشخص نیست که نسل جدید حافظههای تولید شده توسط اینتل چه محدودیتهایی خواهند داشت، اما به نظر میرسد از جملهی کاربردهای این حافظه ها در آنالیز و تحلیل آنی دادهها خواهد بود که طی آن حجم عظیمی از دیتاستها مورد بررسی قرار میگیرند. امکان اجرای بازیها با رزولوشن 8K از جملهس قابلیتهایی است که میتوان با استفاده از این نوع حافظهها به آن دست یافت.
برای درک بهتر اهمیت این حافظهها بهتر است بدانیم که معماری جدید در بین فناوریهای مورد استفاده بین حافظههای غیر فرار جدید ترین معماری از سال ۱۹۸۹ میلادی است. همانطور که اشاره کردیم اینتل در حال تولید انبوه این حافظه است و انتظار میرود فروش آن از سال ۲۰۱۶ میلادی آغاز شود. در حال حاضر این نوع حافظهها با ظرفیت ۱۲۸ گیگابایت در دسترس هستند.
نظرات