سامسونگ تولید انبوه حافظه ۸ ترابایتی SSD را آغاز کرد

سامسونگ به تازگی خبر از آغاز تولید عمده‌ی حافظه‌ی ۸ ترابایتی SSD داده است. غول فناوری کره‌ جنوبی سال گذشته از نمونه‌ی اولیه‌ی حافظه‌های NF1 SSF رونمایی کرده بود. فرم فکتور جدید NF1 به تولیدکنندگان امکان تولید حافظه‌هایی با ظرفیت دو برابر نسبت به انواع M.2 می‌دهد که بدین ترتیب به گزینه‌ای ایده‌آل برای استفاده‌‌های تجاری تبدیل می‌شود. 

حافظه‌های ذخیره‌سازی NF1 SSD بر پایه‌ی بسته‌های ۵۱۲ گیگابایتی متشکل از ۱۶ لایه‌ حافظه‌ی ۲۵۶ گیگابیتی V-NAND ساخته شده است. سامسونگ در این حافظه‌های ذخیره‌سازی از کنترلر‌های فونیکس خود که بر پایه‌ی نسل چهارم PCIe فعالیت می‌کنند، استفاده نکرده است و از نسل سوم این درگاه برای انتقال اطلاعات بهره می‌برد. اقدام سامسونگ به استفاده از PCIe Gen 3 در این حافظه را می‌توان با عدم پشتیبانی بسیاری از پردازنده‌های سرور از این فناوری، تا حد زیادی توجیه کرد.

درایو‌های NF1 سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی ۳۱۰۰ و ۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه را به ارمغان می‌‌آورند. در بخش دسترسی تصادفی به اطلاعات نیز این حافظه‌ها به ترتیب قادر به دستیابی به سرعت خواندن و نوشتن ۵۰۰ و ۵۰ هزار IOPS (تعداد عملیات ورودی و خروجی در ثانیه) خواهند بود تا بدین ترتیب با حافظه‌ی ذخیره‌سازی بسیار توانمندی مواجه باشیم.

یکی از نکات قابل توجه در خصوص حافظه‌های جدید سامسونگ، امکان استفاده از ۷۲ عدد از آن‌ها در یک رَک 2U است که در نهایت کاربران بدین ترتیب به ظرفیت کلی ۵۷۶ ترابایت دست می‌یابند. پیش‌تر تمام نمایش‌های سامسونگ از حافظه‌های NF1 SSD خود روی سرور‌های 1U با پردازنده‌های زئون اینتل انجام شده بود؛ البته امکان استفاده از این حافظه‌ها روی سرور‌های جدید مجهز به پردازنده‌های EPYC شرکت AMD نیز در دسترس خواهد بود. 

سامسونگ امیدوار است در ادامه‌ی سال جاری بتواند نسخه‌های حجیم‌تری از حافظه‌های NF1 SSD را نیز توسعه داده و به تولید برساند.