سامسونگ رم ۵۱۲ گیگابایتی DDR5 تولید می‌کند

سامسونگ الکترونیکس امروز اعلام کرد ماژول ۵۱۲ گیگابایتی حافظه‌ی DDR5 ساخته است. این نخستین‌باری است که سامسونگ می‌تواند حافظه‌ی DRAM برپایه‌ی استاندارد DDR5 تولید کند که سال گذشته‌ی میلادی، مؤسسه‌ی JEDEC آن را تعیین کرد.

به‌نوشته‌ی ZDNet، حافظه‌ی رم سامسونگ با استفاده از فناوری HKMG تولید شده است و نرخ انتقال داده‌ی حداکثر ۷۲۰۰ مگابیت‌برثانیه ارائه می‌دهد که بیش از دو برابر بیشتر از حافظه‌های DDR4 مرسوم است. سامسونگ می‌گوید هشت لایه‌ تراشه‌ی ۱۶ گیگابایتی DRAM را روی هم قرار داده است تا ماژول ۵۱۲ گیگابابتی تولید شود.

حافظه‌ی ۵۱۲ گیگابایتی DDR5 سامسونگ می‌تواند وظایف کاری متکی‌بر پهنای باند زیاد را در حوزه‌هایی مثل ابررایانه، هوش مصنوعی، یادگیری ماشین و تجزیه‌و‌تحلیل داده را انجام دهد. طبق ادعای غول کره‌ای دنیای فناوری، استفاده از فناوری HKMG برای لایه‌ی پوششی به‌جای استفاده از سیلیکون اکسی‌نیترید باعث می‌شود حافظه‌ی DDR5 سامسونگ درمقایسه‌با دیگر حافظه‌ها کمتر دچار نشتی جریان برق شود. این فناوری مصرف انرژی حافظه‌ی سامسونگ را ۱۳ درصد درمقایسه‌با نسل‌های قبل کاهش می‌دهد و آن را به گزینه‌ای جذاب برای دیتاسنترها تبدیل می‌کند.

سامسونگ نخستین.بار در سال ۲۰۱۸ سراغ استفاده از فناوری HKMG در حافظه‌ها رفت. از سال گذشته‌ی میلادی، فناوری EUV نیز به خط‌تولید حافظه‌های DRAM سامسونگ اضافه شده است. سون یونگ‌سو، قائم‌مقام واحد برنامه‌ریزی برای DRAM در سامسونگ، در بیانیه‌ای مطبوعاتی می‌گوید: «سامسونگ تنها شرکت نیمه‌هادی دنیا است که از توانایی و تخصص لازم برای استفاده از فناوری پیشرفته‌ی HKMG در فرایند توسعه‌ی حافظه بهره می‌برد.»

طبق گفته‌ی او، همکاری تیم‌های مهندسی اینتل با شرکت‌هایی مثل سامسونگ تنگاتنگ است تا حافظه‌ی DDR5 سریع و کم‌مصرف را ارائه دهند که عملکردشان بهینه و با پردازنده‌های نسل بعد سری Intel Xeon Scalable با نام Sapphire Rapids سازگار است. ناگفته نماند اس کی هاینیکس، رقیب سامسونگ، سال گذشته‌ی میلادی نخستین ماژول DDR5 خود را رونمایی کرده بود.