توسعه پردازنده‎های ۵ نانومتری توسط سامسونگ

سامسونگ به‌عنوان یکی از شرکت‌های پیشتاز در حوزه‌ی نیمه‏‌هادی‏‌ها اعلام کرد که لیتوگرافی ۵ نانومتریFinFET را تکمیل کرده و اکنون آماده ارائه مدل‏‌های نمونه به مشتریان است. فناوری پردازش ۵ نانومتری FinFET در مقایسه با انواع ۷ نانومتری، کارآمدی مدارهای منطقی را تا ۲۵ درصد افزایش داده و در عین حال میزان مصرف انرژی در آن نیز تا ۱۰ درصد کاهش پیدا می‏‌کند یا به عبارت دیگر روند پردازش بهینه‌سازی شده و میزان عملکرد پردازنده ۱۰ درصد ارتقا پیدا می‎کند و همین مسئله امکان طراحی استانداردهای نوآورانه‌تر در معماری سلولی (Cell Architecture) را نیز فراهم می‎کند.

علاوه‌بر بهینه‌سازی «عملکرد در حوزه انرژی»، مشتریان می‎توانند از مزایای متعدد لیتوگرافی پیچیده‌ی ۵ نانومتری EUV سامسونگ بهره‎مند شوند. سری ۵ نانومتری نیز مانند انواع قبل پردازنده‌‏های این شرکت، از لیتوگرافی EUV در الگوسازی سطح فلز استفاده کرده و به این ترتیب با کاهش میزان سطح پوششی، صحت عملکرد را افزایش می‎دهد.

یکی دیگر از مزایای مهم فناوری ۵ نانومتری آن است که می‏‌توانی از تمامی IPهای ۷ نانومتری برای ۵ نانومتری هم استفاده کرد و به‌این ترتیب روند انتقال مشتریان از لیتوگرافی ۷ نانومتری به ۵ نانومتری با هزینه‌‏هایی بسیار کمتر و اکوسیستم از پیش طراحی‌شده همراه بود. درنهایت نیز روند تولید کوتاه‌تر محصولاتی با فناوری ۵ نانومتری به ارمغان خواهد آمد.

بخش فناوری‎های پایه سامسونگ در همکاری با شرکت‎های فعال در بخش اکوسیستم پیشرفته پایه سامسونگ (SAFE) توانست زیرساخت منسجمی را برای فناوری ۵ نانومتری سامسونگ طراحی کند که شامل کیت طراحی پروسه (PDK)، متدولوژی طراحی (DM)، ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیک (EDA) و IP می‎شود. این مجموعه از سه‌ماهه‌ی آخر سال ۲۰۱۸ به تدریج به طرفین عرضه شده‎اند. در عین حال بخش فناوری‎های پایه سامسونگ ارائه خدمات Multi Project Wafer) MPW) را به مشتریان خود آغاز کرده است.

چارلی بی، معاون بخش فناوری‎های پایه سامسونگ می‎گوید:

با تکمیل موفقیت‎آمیز توسعه ۵ نانومتری، توانستیم توانایی‎هایمان را در نودهای مبتنی بر EUV ثابت کنیم. ما در پاسخ به تقاضای مداوم مشتریان برای فناوری‎های پیشرفته پردازشی با هدف متمایز کردن محصولات نسل آینده، تلاش داریم حجم تولید محصولات فناوری‎های مبتنی بر EUV را افزایش دهیم.

در ماه اکتبر ۲۰۱۸ سامسونگ تولید اولیه پردازنده ۷ نانومتری و اولین نود پردازش با فناوری لیتوگرافی EUV را اعلام کرد. این شرکت نمونه‎های تجاری آن پردازنده را برای اولین محصولات مبتنی بر EUV بازار عرضه کرده و تولید انبوه پردازنده ۷ نانومتری را نیز اوایل امسال آغاز کرد. در عین حال سامسونگ در حال همکاری با مشتریان خود برای تولید پردازنده‌ی ۶ نانومتری به شکل یک نود پردازش اختصاصی مبتنی بر EUV است و اکنون به نمونه‏‌های اولین چیپ ۶ نانومتری دست یافته است.

معاون بخش فناوری‎های پایه سامسونگ در این خصوص افزود:

باتوجه‌به مزایای متعدد مانند PPA و IP، انتظار می‎رود نودهای یپشرفته مبتنی بر EUV سامسونگ برای کاربردهای نوآورانه و جدید مانند 5G، هوش مصنوعی (AI)، محاسبات حجم بالا (HPC) و اتوماسیون، با تقاضای بالایی مواجه شود. سامسونگ هم‏زمان با ارتقای جایگاه خود به‌عنوان پیشتاز لیتوگرافی EUV، پیشرفته‎ترین فناوری‎ها و راهکارها را به مشتریان خود عرضه می‎کند.

فناوری‎های پردازشی مبتنی بر EUV سامسونگ در حال حاضر در شهر هواسئونگ کره جنوبی تولید می‎شوند. این شرکت قصد دارد ظرفیت تولید EUV خود را با تأسیس یک خط جدید در همین شهر افزایش دهد و انتظار می‏‌رود این کار تا نیمه دوم ۲۰۱۹ تکمیل شود.