شاید کوالکام برای تولید تراشه‌های آینده گوشی‌های هوشمند از لیتوگرافی ۳ نانومتری سامسونگ استفاده کند

پس از اینکه کوالکام برای تولید Snapdragon 8+ Gen1 به فرایند ۳ نانومتری TSMC روی آورد، گمانه‌زنی‌هایی درباره‌ی آینده‌ی همکاری تراشه‌ساز با سامسونگ مطرح شد که نشان می‌داد شاید این دو شرکت در آینده هرگز به توافق مجدد نرسند. با‌‌‌توجه‌‌‌‌به اینکه فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ از هفته‌ی آینده وارد مرحله‌ی تولید آزمایشی می‌شود، شاید دوباره شاهد رابطه‌ی تجاری میان این دو شرکت باشیم.

به‌‌گزارش WccfTech، کوالکام با جدا‌شدن از سامسونگ، سفارش‌های ساخت تراشه‌های خود را به TSMC واگذار کرد؛ زیرا بازدهی بسیار کم ۳۵ درصدی معماری ۴ نانومتری غول فناوری کره‌ای مشکلاتی برای این شرکت ایجاد کرده بود. پیش‌از‌این، اعلام شده بود که بازدهی معماری ۴ نانومتری TSMC بیش از ۷۰ درصد است و همین امر غول تراشه‌سازی تایوان را به شریک تجاری کوالکام تبدیل کرد.

علاوه‌براین، گزارش‌هایی درباره‌ی مصرف انرژی بهینه‌تر لیتوگرافی ۴ نانومتری TSMC منتشر شد و این یعنی اگر این شرکت تایوانی با مشکل خاصی مواجه نشود، کوالکام احتمالاً از فناوری آن برای تحویل به‌موقع Snapdragon 8 Gen2 بهره خواهد برد.

علاوه‌براین، گفته می‌شود کوالکام بخشی از ظرفیت تولید ۳ نانومتری GAA سامسونگ را رزرو کرده است. این گزارش ادعا می‌کند که غول تراشه‌سازی مستقر در سن‌دیگو می‌تواند در هر زمان فناوری پیشرفته‌ی سامسونگ را مشاهده و براساس نتایج آن، تصمیم‌گیری کند. سامسونگ به‌تازگی تغییراتی در سطح مدیران ارشد خود اعمال و رئیس بخش تحقیقات نیمه‌هادی خود را به‌دلیل بهبودنیافتن نرخ بازدهی فرایند ۴ نانومتری‌اش، جایگزین کرده است.

تغییر در سطوح بالای مدیریتی واحد تراشه‌سازی سامسونگ شاید به این شرکت در بهینه‌سازی بازدهی معماری ۳ نانومتری GAA کمک کند. البته هنوز خیلی زود است که درباره‌ی پیشرفت فرایندهای پیشرفته‌ی جدید این شرکت نظر دهیم؛ زیرا همان‌طور‌که گفتیم، غول فناوری کره‌‌ای از هفته‌ی آینده تولید آزمایشی تراشه‌های مبتنی‌بر لیتوگرافی ۳ نانومتری خود را آغاز خواهد کرد.