سامسونگ تولید تراشه‌های ۳ نانومتری را با معماری GAA آغاز کرد
به‌گزارش سم‌موبایل، Samsung Foundry اعلام کرد که تولید اولیه‌ی تراشه‌های نیمه‌هادی سه نانومتری را در کارخانه هواسئونگ خود در کره جنوبی آغاز کرده است. برخلاف تراشه‌های نسل قبلی که از فناوری فین‌فت (FinFET) استفاده می‌کردند، شرکت کره جنوبی از معماری ترانزیستور GAA (Gate All Around) استفاده می‌کند که به‌طور درخورتوجهی بهره‌وری انرژی را بهبود می‌بخشد.
با معماری GAA، تراشه‌های سه نانومتری سامسونگ با کاهش ولتاژ منبع تغذیه و افزایش قابلیت جریان درایو، بازده انرژی بالاتری را دریافت می‌کنند. افزون‌براین، سامسونگ از ترانزیستورهای نانو ورق در تراشه‌های نیمه‌هادی برای تراشه‌های گوشی‌های هوشمند با کارایی بالا استفاده می‌کند.
در مقایسه با فناوری نانوسیم، نانوصفحات کانال‌های وسیع‌تر، عملکرد بالاتر و کارایی بهتری دارند و با تنظیم عرض نانوصفحه می‌توان میزان مصرف برق و عملکرد را بر‌اساس نیاز سفارشی کرد.
در مقایسه با تراشه‌های پنج نانومتری، شرکت ریخته‌گری کره جنوبی ۲۳ درصد بهبود عملکرد، ۴۵ درصد کاهش مصرف برق و کاهش ۱۶ درصدی فضا را ذکر کرده است. نسل دوم تراشه‌های سه نانومتری این شرکت ۵۰ درصد بازده انرژی بهتر، ۳۰ درصد عملکرد بهتر و ۳۵ درصد فضای کمتر ارائه می‌دهند.
Samsung Foundry برای کمک به مشتریان و شرکای تراشه‌های خود در طراحی تراشه‌های بهتر و تأیید طرح‌های آن‌ها، محیط طراحی پایداری را فراهم می‌کند. مشتریان می‌توانند ازطریق شرکای SAFE (اکوسیستم ریخته‌گری پیشرفته سامسونگ) از جمله Ansys و Cadence و Siemens و Synopsys، زمان مورد نیاز برای طراحی تراشه‌ها، تأیید و افزایش قابلیت اطمینان محصول را کاهش دهند.
دکتر سیونگ چوی، رئیس و سرپرست کسب‌و‌کار ریخته‌گری سامسونگ الکترونیکس، گفت: «سامسونگ به سرعت رشد کرده و ما همچنان به اثبات برتری در به‌کارگیری فناوری‌های نسل بعدی در تولید، مانند گیت‌های فلزی با ضریب دی‌الکتریک بالا و ترانزیستور اثر میدان برجسته (FinFET) و همچنین لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) در صنعت ریخته‌گری ادامه می‌دهیم. ما به‌دنبال ادامه‌ی این برتری با اولین فرایند سه نانومتری جهان با ترانزیستور اثر میدانی کانال چند پل (MBCFET) هستیم. ما به نوآوری فعال در توسعه فناوری رقابتی و ایجاد فرآیندهایی که به تسریع دستیابی به بلوغ فناوری کمک می‌کند، ادامه خواهیم داد.»