تولید انبوه تراشههای ۲ نانومتری TSMC از سال ۲۰۲۵ آغاز میشود
رسانههای محلی تایوان میگویند TSMC، بزرگترین تولیدکنندهی قراردادی تراشه در دنیا، قصد دارد سال ۲۰۲۵ تولید انبوه پردازندههای مبتنیبر لیتوگرافی دو نانومتری را شروع کند. TSMC در حال حاضر مشغول تلاش است تا ظرفیت تولید ویفرهای سه نانومتری را بالا ببرد. لیتوگرافی سه نانومتری به تولید تراشههایی منتهی میشود که جزو پیشرفتهترین تراشههای ساختهشده روی کرهی زمین هستند. مدیران تی اس ام سی در گفتوگو با رسانهها اعلام کردهاند که با سرمایهگذاری عظیم قصد دارند در نسل پیش رو جایگاه خود را در صنعت تراشه حفظ کنند.
Wccftech مینویسد آن دسته از فناوریهای تولیدی که به تراشههای هفت نانومتری و تراشههای مبتنیبر لیتوگرافیهای کوچکتر اختصاص دارند نیازمند دستگاههای ویژهای هستند که از نور فرابنفش با شدت فراوان استفاده میکنند. استفاده از این نور باعث میشود بتوان میلیاردها مدار کوچک را در ناحیهای با مساحت کم چاپ کرد. این دستگاههای مبتنیبر EUV فعلاً توسط TSMC و سامسونگ و اینتل استفاده میشوند. پیشرفت بیشتر در فناوریهای تراشهسازی که به کاهش ابعاد مدارها منتهی میشود، کار با دستگاههای EUV را برای شرکتهای تراشهساز مشکل میکند.
در مرحلهی بعدی تراشهسازی، کارخانهها سراغ دستگاههایی با لنز بزرگتر میروند. این دستگاهها با نام High NA شناخته میشوند. یکی از مدیران TSMC میگوید این شرکت در سال ۲۰۲۴ کارخانههای خود را به دستگاههای High NA مجهز میکند. به احتمال زیاد تراشههای دو نانومتری TSMC با استفاده از این دستگاهها تولید خواهند شد.
TSMC در ابتدا دستگاههای High NA را برای تحقیقوتوسعه استفاده و سپس آنها را وارد چرخهی تولید انبوه میکند. تایوانیها برای بهینهسازی دستگاهها باید با شرکت هلندی ASML کار کنند.
پیشبینی میشود تراشههای مبتنیبر لیتوگرافی دو نانومتری TMSC در مقایسه با لیتوگرافی سه نانومتری بین ۱۰ تا ۱۵ درصد عملکرد بهتر داشته باشند و مصرف انرژی آنها ۲۵ تا ۳۰ درصد کاهش پیدا کند.
TSMC تأکید کرده است اولین تراشههای مبتنیبر لیتوگرافی سه نانومتری را تا پیش از پایان امسال تولید میکند. سال آینده شاهد روی کار آمدن نسخهی جدید لیتوگرافی سه نانومتری به نام N3E خواهیم بود. سامسونگ بهعنوان یکی از مهمترین رقبای TSMC از مدتی پیش تولید تراشههای سه نانومتری را شروع کرده است.
نظرات