کوالکام برای ساخت تراشه‌های پرچم‌دار آینده‌اش از فرایند ۳ نانومتری سامسونگ و TSMC استفاده می‌کند

Snapdragon 8 Gen 2 براساس فرایند ۴ نانومتری TSMC ساخته شده است؛ اما امکان دارد این شرکت برای تولید نسل بعدی تراشه‌های پرچم‌دارش از فرایندهای تراشه‌سازی سامسونگ نیز بهره ببرد. طبق شایعه‌ای جدید، فرایند پیشرفته‌ی N3E شرکت TSMC و فناوری ۳ نانومتری GAA سامسونگ برای دستیابی کوالکام به هدف این شرکت استفاده خواهند شد.

سامسونگ اخیراً فرایند پیشرفته‌ی ۳ نانومتری GAA خود را معرفی کرده است و به‌گزارش WccfTech، به‌نظر می‌رسد خروجی ویفر این فناوری مطلوب است. به‌گفته‌ی یکی از افشاگران خبرهای فناوری به‌ نام Revegnus، شاید به‌همین‌دلیل کوالکام قصد دارد پردازنده‌های پرچم‌دار بعدی سری اسنپدراگون ۸ را با فرایندهای ساخت دو شرکت مذکور تولید کند. اگر این طرح در اوایل سال ۲۰۲۴ محقق شود، Snapdragon 8 Gen 4 استاندارد با فرايند N3E شرکت TSMC ساخته خواهد شد.

نسخه‌ی دوم Snapdragon 8 Gen 4 نیز براساس فرایند ۳ نانومتری سامسونگ، یعنی GAA تولید و احتمالاً با نام Snapdragon 8 Gen 4 For Galaxy عرضه خواهد شد. گفته می‌شود این تراشه در سری گلکسی S25 استفاده خواهد شد. پیش‌از‌این نیز شایعه شده بود کوالکام برای تولید تراشه‌های پرچم‌دار آینده‌ی خود از فرایندهای ساخت دو شرکت سامسونگ و TSMC هم‌زمان استفاده کند که این اقدام می‌تواند به کاهش هزینه‌های این شرکت نیز کمک کند. اپل تنها شرکتی است که امسال تراشه‌های جدیدی براساس فرایند ۳ نانومتری TSMC تولید می‌کند.

استفاده از فرآیند N3E شرکت TSMC برای کوالکام ارزان‌‌ نخواهد بود و استفاده از فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ راهکار مناسبی برای تولید سیستم-روی-چیپ‌های بعدی سری اسنپدراگون ۸ خواهد بود. به‌نظر نمی‌رسد این شرکت امسال برنامه‌ای برای استفاده از فرایندهای ۳ نانومتری GAA داشته باشد و Snapdragon 8 Gen 3 با فناوری N4P شرکت TSMC تولید خواهد شد.

فرایند تولید نسخه‌های قبلی اسنپدراگون سری ۸ نشان داد فرایندهای ساخت TSMC درمقایسه‌با فرایندهای پیشرفته‌ی سامسونگ عملکرد بهتری دارند و جالب است ببینیم رقابت این دو تراشه‌ساز در آینده‌ی نزدیک به کجا ختم خواهد شد.