احتمال افزایش قیمت حافظه‌های NAND درپی قطعی برق تأسیسات توشیبا

شرکت DRAMeXchange روز جمعه گزارش داد که پایگاه تولیدی توشیبا پس از حادثه قطعی برق ۱۵ ژوئن، هنوز عملکرد عادی خود را آغاز نکرده است؛ بنابراین احتمالا شیب قیمت حافظه‌های NAND در سه‌ماهه بعدی سال جاری میلادی برعکس شود. انتظار می‌رود که کاهش خروجی از خطوط تولید توشیبا، در کوتاه‌مدت به افزایش قیمت ویفرها (صفحه سیلیکونی که در حین روند ساخت، تراشه‌ها روی آن ساخته می‌شوند) و همچنین حافظه‌های دوبعدی و سه‌بعدی NAND در سه‌ماهه سوم ۲۰۱۹ منجر شود.

شرکت تحقیقاتی DRAMeXchange پیش‌بینی می‌کند که حافظه‌های NAND دوبعدی بیشترین تأثیر را از کمبود موجودی ویفرها بگیرند. افزایش محبوبیت حافظه‌های NAND سه‌بعدی، باعث شده شرکت‌ها حافظه‌های NAND دوبعدی کمتری انبار کنند؛ بنابراین تا عادی شدن روند تولید پس از قطعی برق، ذخایر کافی نخواهند داشت. این شرکت تحقیقاتی انتظار دارد که برخی از تولیدکنندگان، در سه‌ماهه سوم سال جاری میلادی، قیمت محصولاتی را که در آن‌ها از حافظه NAND دوبعدی استفاده شده، افزایش دهند.

درمقابل، اوضاع برای حافظه‌های NAND سه‌بعدی بهتر به‌نظر می‌رسد. طبق پیش‌بینی DRAMeXchange، در سه‌ماهه چهارم ۲۰۱۹، قیمت قراردادی حافظه‌های NAND سه‌بعدی ثابت می‌ماند یا با کاهش خفیفی مواجه می‌شود؛ این موضوع به‌دلیل تقاضای پایین مشتریان برای حافظه‌های NAND سه‌بعدی بوده که خود، میزان زیاد موجودی این محصول در دو طرف عرضه و تقاضا را نشان می‌دهد.

همچنین DRAMeXchange بیان کرد که توشیبا و وسترن دیجیتال باید کاهش اعتماد مشتریان سطح پایین را انتظار داشته باشند؛ چراکه قابلیت اطمینان خطوط تولید آن‌ها مورد شک واقع شده است؛ زیرا سرعت بازگشت به روند عادی تولید، آنقدر که از یک شرکت پیشرو در صنعت حافظه انتظار می‌رود، سریع نبوده است.