حافظه ۲۳۲ لایه NAND مایکرون تولید درایو ۲۰۰ ترابایتی SSD را امکان‌پذیر می‌کند

مایکرون، تولیدکننده‌ی رم و حافظه‌ی ذخیره‌سازی، تولید و عرضه‌ی اولین حافظه‌ی ۲۳۲ لایه‌ی NAND را در سنگاپور آغاز کرده است. به‌گزارش گیزمودو، این نخستین‌باری است که شمار لایه‌های حافظه‌ی NAND از عدد ۲۰۰ رد می‌شود. استفاده از حافظه‌ی ۲۳۲ لایه از‌لحاظ تئوری تولید درایو ۲۰۰ ترابایتی SSD را امکان‌پذیر می‌کند. امروزه حتی باکیفیت‌ترین کامپیوترهای شخصی بازار نیز از نهایتاً دو ترابایت حافظه‌ی ذخیره‌سازی استفاده می‌کنند.

در‌حال‌حاضر، پرظرفیت‌ترین درایو اس‌‌اس‌‌‌ای دنیا حافظه‌ی ۱۰۰ ترابایتی ExaDrive شرکت Nimbus Data است. تا پیش از تولید اولین حافظه‌ی ۲۳۲ لایه‌ی NAND، پیشرفته‌ترین حافظه‌ی NAND شرکت مایکرون از نوع ۱۷۶ لایه بود. گفتنی است که مایکرون پیش‌تر حافظه‌ی ۲۳۲ لایه‌ی NAND را در حاشیه‌ی رویداد Investor Day معرفی کرده بود. تحویل محموله‌ی حافظه‌ی ۲۳۲ لایه‌ی مایکرون در حالی آغاز شده که هفته‌ی آینده قرار است اجلاسی با محوریت حافظه‌های فلش برگزار شود.

به‌نوشته‌ی انندتک، حافظه‌ی ۲۳۲ لایه ششمین نسل از فناوری 3D NAND مایکرون است. حافظه‌ی جدید مایکرون نه‌تنها پهنای باند بیشتری دارد؛ بلکه ابعاد Die را نیز افزایش می‌دهد. مایکرون ادعا می‌کند حافظه‌ی NAND جدید ۵۰ درصد سریع‌تر از حافظه‌ی ۱۷۶ لایه است و سرعتش به حداکثر ۲٫۴ گیگابایت‌برثانیه می‌رسد. مایکرون می‌گوید پهنای باند نوشتن و خواندن حافظه‌ی ۲۳۲ لایه‌ی NAND درمقایسه‌با حافظه‌ی ۱۷۶ لایه به‌ترتیب ۱۰۰ و ۷۵ درصد بیشتر است.

حافظه‌ی ۲۳۲ لایه‌ی NAND مایکرون به‌ازای هر Die خود یک ترابایت حافظه دارد. حافظه‌ی یادشده نخستین حافظه‌ای است که از تراشه‌های یک‌ترابایتی TLC NAND مایکرون استفاده می‌کند. این مشخصه باعث می‌شود حافظه‌ی یادشده بیشترین تراکم سطحی در صنعت حافظه‌‌های ذخیره‌سازی را داشته باشد (۱۴٫۶ گیگابیت‌ به‌ازای هر یک میلی‌مترمربع از سطح). تراکم سطحی حافظه‌ی ۲۳۲ لایه حدوداً ۴۳ درصد بیشتر از حافظه‌ی ۱۷۶ لایه است.

در سبک طراحی مایکرون، بخش عمده‌ای از تراشه‌های منطقی NAND در زیر سلول‌های حافظه قرار می‌گیرند و به‌ادعای مایکرون همین طراحی باعث افزایش چشمگیر تراکم سطحی می‌شود. حافظه‌ی ۲۳۲ لایه‌ی مایکرون علاوه‌بر افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی، مصرف انرژی را درمقایسه‌با نسل قبل کاهش می‌دهد.

حافظه‌ی ۲۳۲ لایه‌ی مایکرون از همان سبک طراحی نسل‌های قبل با معماری CuA استفاده می‌کند. این حافظه از یک جفت حافظه‌ی ۱۱۶ لایه تولید شده است، این در حالی است که مدل پیشین از یک جفت حافظه‌ی ۸۸ لایه استفاده می‌کرد. این نخستین‌باری است که مایکرون می‌تواند حافظه‌ی یگانه‌ای با بیش از ۱۰۰ لایه تولید کند. این دستاورد پیش‌تر در انحصار سامسونگ بود.

اسکات دبوئر، قائم‌مقام اجرایی تیم فناوری و محصول در مایکرون، می‌گوید حافظه‌ی ۲۳۲ لایه‌ی NAND نقطه‌ی عطف نوآوری در صنعت حافظه است و به‌وضوح نشان می‌دهد که امکان تولید حافظه‌های 3D NAND با بیش از ۲۰۰ لایه وجود دارد. توماس ایساکوویچ، مدیرعامل Nimbus Data، نیز در سال ۲۰۲۰ در مصاحبه‌ای با رسانه‌ی تک‌ریدار وعده‌های امیدوارکننده‌ای درباره‌ی آینده‌ی حافظه‌های NAND مطرح کرد. ایساکوویچ در آن زمان گفت:

ما می‌توانیم در سال ۲۰۲۱ درایو ۲۰۰ ترابایتی بسازیم و احتمالاً تا سال ۲۰۲۳ موفق خواهیم شد حافظه‌ی ۴۰۰ ترابایتی تولید کنیم. البته این موضوع به افزایش تراکم سطحی حافظه‌های NAND وابسته است.

دنیاگیری ویروس کرونا باعث شد برنامه‌ها به‌هم بخورد و Nimbus Data نتواند به وعده‌هایش پای‌بند بماند. مایکرون می‌گوید حافظه‌ی جدید NAND هم‌اکنون در کارخانه‌ی سنگاپور در حال تولید است و در قالب قطعات سازگار با سیستم‌های فعلی به‌دست مشتریان می‌رسد. به‌گفته‌ی مایکرون، تا پیش از پایان سال جاری میلادی، حجم تولید حافظه‌ی ۲۳۲ لایه افزایش پیدا می‌کند.

حافظه‌ی NAND جدید مایکرون بیشتر مناسب دیتاسنترهایی است که پردازش‌های سنگینی مثل رایانش ابری و هوش مصنوعی انجام می‌دهند.

دیدن موفقیت شرکت‌های فعال در صنعت کامپیوتر اتفاق خوشحال‌کننده‌ای است؛ خصوصاً با درنظرگرفتن این حقیقت که بازار PC در وضعیت مطلوبی به‌‌سر نمی‌برد و کمبود تراشه همچنان احساس می‌شود. ناگفته نماند ایالات متحده با تخصیص بودجه‌ی سنگین به‌دنبال رفع مشکلات صنعت تراشه است.